以先進(jìn)技術(shù)為依托,以科學(xué)管理為核心
產(chǎn)品分類(lèi)
產(chǎn)品中心
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針對(duì)α和β帶電粒子的探測(cè),鈍化離子注入平面硅探測(cè)器(PIPS)為新一代性能優(yōu)異的核探測(cè)器。
PIPS探測(cè)器為結(jié)型半導(dǎo)體探測(cè)器,其制作原理主要為利用加速器產(chǎn)生具有一定能量的正離子束流,使其直接穿透半導(dǎo)體材料(硅)表面而形
成PN結(jié)。帶電粒子在探測(cè)器的耗盡區(qū)里發(fā)生相互作用產(chǎn)生大量的電子空穴對(duì),它們最初的空間分布取決于射線的種類(lèi)和能量。隨后,在一定時(shí)
間內(nèi)這些電子空穴對(duì)被分離和收集,這一時(shí)間取決于電子空穴對(duì)的幾何位置、探測(cè)器耗盡區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度和電場(chǎng)的分布以及器件工作溫度下的載
流子遷移率。收集時(shí)間的不同造成了脈沖上升時(shí)間的不同。
α、β 粒子在探測(cè)器中的射程不同,使得電子空穴對(duì)分布不同,電荷收集時(shí)間也不同,從而探測(cè)器最終輸出的脈沖形狀也不同。
成都迪泰科技有限公司可提供各種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格及定制其他規(guī)格的PIPS探測(cè)器,如下:
探測(cè)靈敏區(qū)面積
(mm2)
α能量分辨率
(keV)
β能量分辨率
(keV)
探測(cè)器類(lèi)型
靈敏區(qū)厚度
(μm)
探測(cè)器偏壓
(V)
應(yīng)用類(lèi)型
50
12
6
高分辨率型
300 ± 30
50-70
α/β能譜測(cè)量
100
14
8
高分辨率型
300 ± 30
50-70
α/β能譜測(cè)量
300
16
14
高分辨率型
300 ± 30
50-70
α/β能譜測(cè)量
450
20
15
高分辨率型
400 +/- 30
50-70
α/β能譜測(cè)量
450
25
17
鍍層型
400 +/- 30
50-70
空氣放射性監(jiān)測(cè)
600
25
23
高分辨率型
400 +/- 30
50-70
α/β能譜測(cè)量
600
30
20
鍍層型
400 +/- 30
24-48
空氣放射性監(jiān)測(cè)
900
30
20
高分辨率型
400 +/- 30
50-70
α/β能譜測(cè)量
900
35
23
鍍層型
400 +/- 30
50-70
空氣放射性監(jiān)測(cè)
1200
35
30
高分辨率型
400 +/- 30
50-70
α/β能譜測(cè)量
1200
38
33
鍍層型
400 +/- 30
50-70
α/β能譜測(cè)量
*成型時(shí)間:≤1μs
*以上為常用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,可按用戶(hù)需求提供其他更大探測(cè)面積的規(guī)格定制。
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