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以先進(jìn)技術(shù)為依托,以科學(xué)管理為核心

Relying on advanced technology,scientific management as the core


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鈍化離子注入平面硅探測(cè)器(PIPS)

鈍化離子注入平面硅探測(cè)器(PIPS)

BNC插座

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BNC插座

      針對(duì)α和β帶電粒子的探測(cè),鈍化離子注入平面硅探測(cè)器(PIPS)為新一代性能優(yōu)異的核探測(cè)器。

      PIPS探測(cè)器為結(jié)型半導(dǎo)體探測(cè)器,其制作原理主要為利用加速器產(chǎn)生具有一定能量的正離子束流,使其直接穿透半導(dǎo)體材料(硅)表面而形

成PN結(jié)。帶電粒子在探測(cè)器的耗盡區(qū)里發(fā)生相互作用產(chǎn)生大量的電子空穴對(duì),它們最初的空間分布取決于射線的種類(lèi)和能量。隨后,在一定時(shí)

間內(nèi)這些電子空穴對(duì)被分離和收集,這一時(shí)間取決于電子空穴對(duì)的幾何位置、探測(cè)器耗盡區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度和電場(chǎng)的分布以及器件工作溫度下的載

流子遷移率。收集時(shí)間的不同造成了脈沖上升時(shí)間的不同。

       α、β 粒子在探測(cè)器中的射程不同,使得電子空穴對(duì)分布不同,電荷收集時(shí)間也不同,從而探測(cè)器最終輸出的脈沖形狀也不同。

       成都迪泰科技有限公司可提供各種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格及定制其他規(guī)格的PIPS探測(cè)器,如下:

探測(cè)靈敏區(qū)面積

mm2

α能量分辨率

keV

β能量分辨率

keV

探測(cè)器類(lèi)型

靈敏區(qū)厚度

(μm

探測(cè)器偏壓

V

應(yīng)用類(lèi)型

50

12

6

高分辨率型

300 ± 30

50-70

α/β能譜測(cè)量

100

14

8

高分辨率型

300 ± 30

50-70

α/β能譜測(cè)量

300

16

14

高分辨率型

300 ± 30

50-70

α/β能譜測(cè)量

450

20

15

高分辨率型

400 +/- 30

50-70

α/β能譜測(cè)量

450

25

17

鍍層型

400 +/- 30

50-70

空氣放射性監(jiān)測(cè)

600

25

23

高分辨率型

400 +/- 30

50-70

α/β能譜測(cè)量

600

30

20

鍍層型

400 +/- 30

24-48

空氣放射性監(jiān)測(cè)

900

30

20

高分辨率型

400 +/- 30

50-70

α/β能譜測(cè)量

900

35

23

鍍層型

400 +/- 30

50-70

空氣放射性監(jiān)測(cè)

1200

35

30

高分辨率型

400 +/- 30

50-70

α/β能譜測(cè)量

1200

38

33

鍍層型

400 +/- 30

50-70

α/β能譜測(cè)量

*成型時(shí)間:≤1μs

*以上為常用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,可按用戶(hù)需求提供其他更大探測(cè)面積的規(guī)格定制。



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